买卖IC网 >> 产品目录43241 >> IPD60R520CP MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-252 datasheet 分离式半导体产品
型号:

IPD60R520CP

库存数量:5,000
制造商:Infineon Technologies
描述:MOSFET N-CH 650V 6.8A TO-252
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
IPD60R520CP PDF下载
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装 2,500
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 520 毫欧 @ 3.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 3.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 31nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 630pF @ 100V
功率 - 最大 66W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装 PG-TO252-3
包装 带卷 (TR)
其它名称 IPD60R520CP-ND
SP000405852
相关资料
供应商
  • IPD60R520CP 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    2,500 1.113096 2782.752
    5,000 1.071876 5359.38
    12,500 1.030656 12883.128
    25,000 1.01004 25250.928
    62,500 0.989424 61839